Terafab: Космические амбиции и полупроводниковый тупик

Дважды два – четыре. Илон Маск представил Terafab пару недель назад. Амбиции, как обычно, запредельные. Производство полупроводников для Tesla и SpaceX, а теперь еще и для xAI. Все слилось в один ненасытный улей. Похоже, господин Маск решил, что чипов ему нужно… много. Очень много. Тереватты вычислительной мощности в год. В цифрах это выглядит как безумие. Сегодняшнее производство всех передовых AI-чипов – жалкие 20 гигаватт. Два процента от того, что нужно Маску. Два процента. Это как пытаться потушить пожар плевком.

"Покупай на слухах, продавай на новостях". А потом сиди с акциями никому не известной биотех-компании. Здесь мы про скучный, но рабочий фундаментал.

Бесплатный Телеграм канал

На прошлой неделе все стало чуть интереснее. Intel объявила о «присоединении» к проекту Terafab. В твиттере, конечно. Как иначе? Вроде бы, Intel и так строит собственные фабрики. Логичный вопрос: что это – сотрудничество или поглощение? Будет ли Intel Foundry частью Terafab, управлять ею или это вообще два разных мира, случайно столкнувшихся в темноте?

В тот же день Intel сделала объявление, которое пролило свет на истинную причину этого союза. И это может оказаться весьма любопытным делом. Как говорится, дьявол кроется в деталях, а в полупроводниках – тем более.

Прорыв в технологии GaN

7 апреля, в тот же день, когда Intel объявила об участии в Terafab, исследователи компании опубликовали блог-пост о технологическом прорыве. Галлий нитрид (GaN). Звучит как название лекарства от всех болезней. GaN – это полупроводниковый материал, более устойчивый к высоким напряжениям, чем кремний. Intel нашла способ выращивать GaN непосредственно на стандартной 300-мм пластине, используя стандартное производственное оборудование. То есть, удешевить производство. И это важно. Они также разработали новый процесс тонкослойного травления, позволяющий создавать GaN-чиплеты толщиной всего 19 микрон. 19 микрон – это меньше одной пятой ширины человеческого волоса. Представьте себе.

Но самое интересное – Intel удалось объединить GaN-силовую электронику и кремниевую логику на одном чиплете. Обычно, силовые транзисторы держат подальше от логических. Большие, жадные до энергии, шумные. Они мешают работе логики. Поэтому их размещают отдельно, на другом чипе. А это – лишнее пространство, лишние потери тока. Intel же умудрилась смешать их. Использовали процесс переноса слоев. Поместили мощные GaN-транзисторы рядом с маленькими логическими транзисторами. Все в одном компактном пространстве. Тесты показали, что чиплеты работают и сохраняют свою устойчивость даже в экстремальных условиях. Словно броня.

Почему SpaceX особенно заинтересована в этой технологии

В презентации Terafab Маск подчеркнул, что основная часть чипов пойдет на SpaceX. Для космической промышленности и AI-центров на спутниках. Но полупроводники для космоса должны быть устойчивы к суровым условиям. Радиация, перепады температур… GaN-чипы – идеальный вариант. Они более устойчивы к радиации, чем кремний. А в космосе радиации – хоть отбавляй. Поэтому возможность создавать более тонкие, легкие и компактные GaN-чипы особенно ценна. Каждый грамм веса на ракете – это миллионы долларов. Чем тяжелее ракета, тем дороже ее запуск. Стоимость запуска – от тысячи до десяти тысяч долларов за килограмм. В зависимости от полезной нагрузки. И это – суровая правда.

Финансовый эффект станет известен через годы

Учитывая, что Terafab обойдется в триллионы долларов и потребует много времени на строительство, финансовый эффект от партнерства SpaceX и Intel станет очевиден не скоро. В лучшем случае, через годы. К тому же, пока неясно, будет ли Intel просто лицензировать эту технологию, или же инвестировать в Terafab совместно с SpaceX и Tesla. Это – игра в долгую. Но если в ближайшее время появятся новые подробности о партнерстве, это может положительно сказаться на акциях Intel. Учитывая тот объем чипов, который планирует производить Маск, это – вполне вероятно. Но пока – это лишь намеки и обещания. А обещания, как известно, разбиваются о реальность.

Смотрите также

2026-04-12 15:52